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RSJ650N10TL「MOSFET NCH 100V 65A LPTS」.


详   情   描   述
制造商编号RSJ650N10TL
制造商Rohm Semiconductor
类别transistors-fets-mosfets-single
描述MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
状态Active
系列-
最低订购数量1
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）：100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：65A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：260nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：(咨询特价)pF @ 25V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：100W（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）：9.1 毫欧 @ 32.5A，10V
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：LPTS
封装/外壳：SC-83
包装：标准卷带
供应商：http://picimg.witcp.com/pic/wansanfengsm.tmall.com/万三丰数码专营店
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